LF253D和MC33077DR2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LF253D MC33077DR2G OPA2227U/2K5

描述 运算放大器 - 运放 Dual Wideband JFETMC33077,低噪声,双路运算放大器,ON Semiconductor低电压噪声:4.4 nV/√Hz(1 kHz 时) 低输入偏置电压:0.2 mV 输入偏置电压:2.0 μV/°C ### 运算放大器,ON Semiconductor低噪声运算放大器

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 1.4 mA 3.5 mA 3.7 mA

电路数 2 2 2

耗散功率 0.68 W - -

共模抑制比 70 dB 85 dB 120 dB

转换速率 16.0 V/μs - 2.30 V/μs

增益频宽积 4 MHz 37 MHz 8 MHz

输入补偿电压 10 mV 130 µV 5 µV

输入偏置电流 0.2 nA 280 nA 2.5 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 680 mW - -

共模抑制比(Min) 70 dB 85 dB 120 dB

电源电压(DC) - - 36.0 V

通道数 - 2 2

输入补偿漂移 - - 100 nV/K

带宽 - 37 MHz 8.00 MHz

增益带宽 - 37 MHz 8 MHz

电源电压(Max) - - 36 V

电源电压(Min) - - 5 V

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 8 -

长度 5 mm 4 mm -

宽度 4 mm 5 mm 3.91 mm

高度 1.65 mm 1.5 mm -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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