对比图
型号 SI5445BDC-T1-E3 SI5475BDC-T1-GE3 SI5475BDC-T1-E3
描述 MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -8V; RDS(ON) 0.027Ω; ID -5.2A; 1206-8 ChipFET; PD 1.3WMOSFET P-CH 12V 6A 1206-8MOSFET 12V 6A 6.3W
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 1206 1206 1206
封装(公制) - 3216 -
漏源极电阻 0.027 Ω - 0.028 Ω
耗散功率 1.3 W 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 6.3 W
漏源极电压(Vds) 8 V 12 V 12 V
热阻 - - 50℃/W (RθJA)
输入电容(Ciss) - 1400pF @6V(Vds) 1400pF @6V(Vds)
下降时间 - - 110 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
输入电容 305pF @15V - -
长度 3.1 mm 3.2 mm 3.1 mm
高度 1.1 mm - 1.1 mm
封装 1206 1206 1206
宽度 - 1.6 mm -
封装(公制) - 3216 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free