对比图
型号 IPB80P04P4L-06 IPD85P04P4L-06
描述 Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 P-CH P-CH
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 85A
上升时间 12 ns 10 ns
下降时间 44 ns 39 ns
工作温度(Max) 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 88 W -
通道数 - 1
漏源极电阻 - 6.4 mΩ
漏源击穿电压 - 40 V
长度 10 mm 6.5 mm
宽度 9.25 mm 6.22 mm
高度 4.4 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free