对比图
型号 PHD13003C,412 STBV32G PHD13003C,126
描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Single NPN 1.5A 2.1W高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistorPHD13003C,126 盒装
数据手册 ---
制造商 We En Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) We En Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3
引脚数 - - 3
额定功率 2.1 W - 2.1 W
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 2.1 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V
集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V 5 @1A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) 25 - -
额定功率(Max) 2.1 W 1.5 W 2.1 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 2100 mW
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free 无铅