对比图
型号 PHP225 PHP225,118 PHP225T/R
描述 双P沟道中间级场效应晶体管 Dual P-channel intermediate level FETSO P-CH 30V 2.3ATransistor
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 SOP-8 SOIC-8 -
引脚数 - 8 -
极性 P-CH P-CH -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.3A -
耗散功率 - 2 W -
输入电容(Ciss) - 250pF @20V(Vds) -
额定功率(Max) - 2 W -
封装 SOP-8 SOIC-8 -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
工作温度 - 150℃ (TJ) -