BF821,215和MMBTA92LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF821,215 MMBTA92LT1G BF821

描述 NXP  BF821,215  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 60 MHz, 250 mW, -50 mA, 50 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBTA92LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFENXP  BF821  单晶体管 双极, PNP, -300 V, 250 mW, -50 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

频率 60 MHz 50 MHz -

针脚数 3 3 3

正向电压 1.00 V - -

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 250 mW 300 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V -

集电极最大允许电流 0.05A 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V 25 @30mA, 10V 50

最大电流放大倍数(hFE) 50 @25mA, 20V - -

额定功率(Max) 250 mW 300 mW -

直流电流增益(hFE) 50 25 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 0.25 W

额定电压(DC) - -300 V -

额定电流 - -500 mA -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.9 mm 3 mm

宽度 - 1.3 mm 1.4 mm

高度 - 0.94 mm 1 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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