对比图
描述 SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Intertechnology ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 - - 3
封装 TO-220 TO-220 TO-220-3
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
产品生命周期 Obsolete Active Unknown
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Contains Lead
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 4.50 A
耗散功率 - - 100 W
输入电容 - - 610 pF
栅电荷 - - 30.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 4.5A - 4.50 A
上升时间 - - 8 ns
输入电容(Ciss) - - 610pF @25V(Vds)
下降时间 - - 5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 100W (Tc)
极性 N-CH - -
材质 - - Silicon
工作温度 - - 150℃ (TJ)