ECH8659和ECH8664R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ECH8659 ECH8664R EMH2412

描述 N沟道功率MOSFET N-Channel Power MOSFETN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Sanyo Semiconductor (三洋) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类

基础参数对比

封装 SOT-28 - -

漏源极电阻 41 mΩ - -

极性 Dual N - -

耗散功率 1.3 W - -

阈值电压 2.6 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V - -

连续漏极电流(Ids) 7A - -

封装 SOT-28 - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

最小包装 3000 - -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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