对比图
型号 IRG4RC10KTRL SGD04N60 IRG4RC10KTRRPBF
描述 IGBT 600V 9A 38W DPAKInsulated Gate Bipolar Transistor, 9.4A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AAInsulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌)
分类
安装方式 Surface Mount - -
封装 TO-252-3 - -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V - -
额定功率(Max) 38 W - -
封装 TO-252-3 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - -