APT30M75BLLG和IXFH40N30

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT30M75BLLG IXFH40N30 IXFH40N30Q

描述 TO-247 N-CH 300V 44AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH40N30  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 300 V, 85 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 300V 40A 3Pin(3+Tab) TO-247AD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 300 V 300 V 300 V

额定电流 44.0 A 40.0 A 40.0 A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.085 Ω 80 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 300 W 300 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 40.0 A 40.0 A

上升时间 3 ns 60 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 3018pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds) 3100 pF

额定功率(Max) - 300 W 300 W

下降时间 2 ns 45 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 329000 mW 300W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 3.02 nF - -

栅电荷 57.0 nC - -

额定功率 - - 300 W

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 300 V

高度 - 21.46 mm 21.46 mm

封装 TO-247 TO-247-3 TO-247-3

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 -

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