1N5244BRL和JAN1N5534B-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5244BRL JAN1N5534B-1 1N5244B.TR

描述 DO-35 14V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWDIODE 14V, 0.5W(1/2W), SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

数据手册 ---

制造商 TAK Cheong Microsemi (美高森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

耗散功率 500 mW - -

稳压值 14 V 14 V -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 - -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

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