对比图
型号 SPP16N50C3HKSA1 SPP16N50C3XKSA1
描述 TO-220AB N-CH 560V 16AInfineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP16N50C3XKSA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3-1 TO-220-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 160W (Tc) 160 W
漏源极电压(Vds) 560 V 560 V
连续漏极电流(Ids) 16A 16A
输入电容(Ciss) 1600pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 160W (Tc) 160W (Tc)
通道数 - 1
漏源极电阻 - 280 mΩ
阈值电压 - 3 V
漏源击穿电压 - 500 V
上升时间 - 8 ns
额定功率(Max) - 160 W
下降时间 - 8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-220-3-1 TO-220-3
长度 - 10 mm
宽度 - 4.4 mm
高度 - 15.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99