FDP39N20和SSP45N20B_FP001

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP39N20 SSP45N20B_FP001 STP40NF20

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 35A 3Pin(3+Tab) TO-220 RailSTMICROELECTRONICS  STP40NF20  晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

漏源极电阻 66.0 mΩ 65.0 mΩ 0.038 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 251 W 176W (Tc) 160 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 39.0 A 35.0 A 25.0 A, 40.0 A

输入电容(Ciss) 2130pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 251W (Tc) 176W (Tc) 160W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 40.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3 V

输入电容 - - 2.50 nF

栅电荷 - - 75.0 nC

上升时间 160 ns - 44 ns

额定功率(Max) 251 W - 160 W

下降时间 150 ns - 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.67 mm - 10.4 mm

宽度 4.7 mm - 4.6 mm

高度 16.3 mm - 15.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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