NTST20120CTG和V20120C-E3/4W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTST20120CTG V20120C-E3/4W V20120C-M3/4W

描述 肖特基势垒二极管,10A 至 25A,ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 SBR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON SemiconductorTMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器,高达 20A,Vishay SemiconductorVishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比,TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势,且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题,从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。### 特点专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 肖特基整流器,Vishay SemiconductorDiode Schottky 120V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

正向电压 1.1 V 900mV @10A 900mV @10A

最大反向电压(Vrrm) 120V - -

正向电流 20 A 10 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 120 A - -

正向电压(Max) 1.1 V - -

正向电流(Max) 20 A 20 A -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

长度 10.28 mm 10.54 mm -

宽度 4.82 mm 4.7 mm -

高度 9.28 mm 15.32 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

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