对比图
型号 FQB14N15TM FQD14N15 PHM18NQ15T,518
描述 MOSFET N-CH/150V/14.4A/0.21Ω150V N沟道MOSFET 150V N-Channel MOSFETHVSON N-CH 150V 19A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 DPAK HVSON-8
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 3.75 W - 62.5W (Tc)
漏源极电压(Vds) 150 V 150 V 150 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 10A 19A
输入电容(Ciss) 715pF @25V(Vds) - 1150pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 104W (Tc) - 62.5W (Tc)
额定电压(DC) 150 V - -
额定电流 14.0 A - -
通道数 1 - -
漏源极电阻 210 mΩ - -
漏源击穿电压 150 V - -
栅源击穿电压 ±25.0 V - -
上升时间 90 ns - -
下降时间 65 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) 55 ℃ - -
封装 TO-263-3 DPAK HVSON-8
长度 10.67 mm - -
宽度 9.65 mm - -
高度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free