IS42SM16800G-75BI和IS42SM16800H-75BI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42SM16800G-75BI IS42SM16800H-75BI IS42RM16800G-75BLI

描述 DRAM Chip Mobile SDRAM 128M-Bit 8M x 16 3.3V 54Pin TFBGAIc Sdram 128Mbit 133MHz 54bgaDRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 54

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 BGA-54

供电电流 - - 55 mA

位数 - - 16

存取时间(Max) - - 8ns, 6ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 2.3V ~ 2.7V

高度 - - 0.8 mm

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 BGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

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