对比图
型号 DMG3413L-7 TT8U1TR TT8U2TCR
描述 DMG3413L 系列 20 V 95 mOhm P沟道 增强模式 Mosfet -SOT-23-3TSST P-CH 20V 2.4ATSST P-CH 20V 2.4A
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 8 -
封装 SOT-23-3 TSST-8 TSST-8
极性 P-CH P-CH P-CH
耗散功率 1.3 W 1 W 1.25W (Ta)
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 3A 2.4A 2.4A
输入电容(Ciss) 857pF @10V(Vds) 850pF @10V(Vds) 850pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 700 mW 1 W -
耗散功率(Max) 700mW (Ta) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta)
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 80 mΩ -
漏源击穿电压 - 20 V -
上升时间 - 25 ns -
下降时间 - 45 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
封装 SOT-23-3 TSST-8 TSST-8
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
香港进出口证 NLR - -
工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -