HM1-6642B/883和TBP28L46MJW

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HM1-6642B/883 TBP28L46MJW 5962-8851805LA

描述 PROM Parallel 4Kbit 5V 24Pin SBCDIP标准和低功耗可编程只读存储器 STANDARD AND LOW POWER PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORIESEPROM OTP 4Kbit 512 x 8 35ns 24Pin CDIP

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) TI (德州仪器) E2V

分类 EPROM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 DIP DIP CDIP

供电电流 - - 120 mA

存取时间(Max) 120 ns - 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

电源电压 - - 5 V

封装 DIP DIP CDIP

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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