TLC2262AIDR和TLV2262QDRQ1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC2262AIDR TLV2262QDRQ1 TLC2262AIDRG4

描述 CMOS,满电源幅度运放高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA

供电电流 425 µA - 425 µA

电路数 2 - 2

通道数 2 - 2

耗散功率 725 mW - 0.725 W

共模抑制比 70 dB - 70 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K - 2.00 µV/K

带宽 820 kHz - 820 kHz

转换速率 550 mV/μs - 550 mV/μs

增益频宽积 0.82 MHz - 0.82 MHz

过温保护 No - No

输入补偿电压 300 µV - 300 µV

输入偏置电流 1 pA - 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

耗散功率(Max) 725 mW - 725 mW

共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB

针脚数 8 - -

增益带宽 730 kHz - -

电源电压(Max) 16 V - -

电源电压(Min) 4.4 V - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 125℃

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