对比图
型号 IRF1010EZS IRF1010EZSPBF AUIRF1010EZS
描述 D2PAK N-CH 60V 84AINFINEON IRF1010EZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 60 V, 8.5 mohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 60V 84A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 140W (Tc) 140 W 140 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 84A 84A 84A
输入电容(Ciss) 2810pF @25V(Vds) 2810pF @25V(Vds) 2810pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0085 Ω 0.0068 Ω
阈值电压 - 4 V 2 V
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - - 140 W
通道数 - - 1
上升时间 - - 90 ns
下降时间 - - 54 ns
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm 10 mm
宽度 - 9.65 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17