对比图
型号 HUF75645P3 IXTP75N10P IRFZ14PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645P3 场效应管, MOSFET, N沟道, 75A, TO-220ABIXYS SEMICONDUCTOR IXTP75N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 75 A, 100 V, 25 mohm, 10 V, 5.5 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V - 60.0 V
额定电流 75.0 A - 10.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.014 Ω 0.025 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 360 W 43 W
阈值电压 4 V 5.5 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 100 V - 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75.0 A 10.0 A
上升时间 117 ns 53 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 3790pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 360 W 43 W
下降时间 - 45 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 360000 mW 43 W
通道数 1 - -
输入电容 3.79 nF - -
栅电荷 106 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
长度 10.67 mm - 10.41 mm
宽度 4.7 mm - 4.7 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 - -