APT8024LFLLG和APT8024LLLG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8024LFLL

描述 TO-264 N-CH 800V 31ATO-264 N-CH 800V 31A功率MOS 7TM是新一代低损耗,高电压,N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31.0 A 31A

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 31.0 A 31.0 A -

耗散功率 565W (Tc) 565W (Tc) -

输入电容 4.67 nF 4.67 nF -

栅电荷 160 nC 160 nC -

上升时间 5 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 4670pF @25V(Vds) 4670pF @25V(Vds) -

下降时间 4 ns 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 565W (Tc) 565W (Tc) -

额定功率(Max) - 565 W -

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台