GS816018DGT-333I和GS816018DGT-375I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS816018DGT-333I GS816018DGT-375I GS816018DGT-250I

描述 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18MSRAM Chip Sync Dual 2.5V/3.3V 18M-Bit 1M x 18 4.2ns/2.5ns 100Pin TQFP静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M

数据手册 ---

制造商 GSI GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TQFP-100 LQFP TQFP-100

存取时间 4.5 ns - 5.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

封装 TQFP-100 LQFP TQFP-100

工作温度 -40℃ ~ 100℃ -40℃ ~ 100℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司