199D685X9035D1V1E3和MCDT6R8K35-1-RH

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D685X9035D1V1E3 MCDT6R8K35-1-RH 199D685X9035D2B1E3

描述 VISHAY  199D685X9035D1V1E3  钽电容, 6.8uF, 35V, 径向引线MULTICOMP  MCDT6R8K35-1-RH  钽电容, 6.8uF 10%容差 35V199D 系列 6.8 uF ±10 % 35 V 径向 固体 电解质钽电容

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Multicomp Vishay Semiconductor (威世)

分类 钽电容钽电容钽电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 -

封装 Radial - Radial

引脚间距 2.54 mm 2.5 mm -

额定电压(DC) 35.0 V 35.0 V -

电容 6.8 µF 6.8 µF 6.8 μF

容差 ±10 % ±10 % ±10 %

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压 35 V 35 V 35 V

等效串联电阻(ESR) - 2.5 Ω -

产品系列 - MCDT -

高度 10.16 mm 9.5 mm 10.16 mm

封装 Radial - Radial

引脚间距 2.54 mm 2.5 mm -

直径 - Φ5mm -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

包装方式 Each Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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