对比图
型号 570N FDD3570
描述 Power Field-Effect Transistor, 43A I(D), 80V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, TO-252, 3 PIN80V N沟道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
封装 TO-252 TO-252-3
额定电压(DC) - 80.0 V
额定电流 - 10.0 A
漏源极电阻 - 15.0 mΩ
极性 - N-Channel
耗散功率 - 3.4 W
漏源极电压(Vds) - 80 V
漏源击穿电压 - 80.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 43.0 A
上升时间 - 12 ns
输入电容(Ciss) - 2800pF @40V(Vds)
额定功率(Max) - 1.3 W
下降时间 - 24 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.4W (Ta), 69W (Tc)
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.39 mm
封装 TO-252 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free