L6384D和L6384E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6384D L6384E L6384ED

描述 HIGH- VOLTAGE半桥驱动器 HIGH-VOLTAGE HALF BRIDGE DRIVERL6384 系列 双通道 400 mA 125Ω 高压 半桥 驱动器 - DIP-8STMICROELECTRONICS  L6384ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 11.5V-16.6V电源, 650mA输出, 200ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 DIP-8 SOIC-8

频率 - 0.4 MHz 0.4 MHz

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 580 V 580 V -

耗散功率 750 mW 750 mW 0.75 W

上升时间 70 ns 50 ns 50 ns

输出电流(Max) - 0.65 A 0.65 A

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 70 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 45 ℃ -45 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 14.6V ~ 16.6V 8V ~ 16.6V 14.6V ~ 16.6V

电源电压(Max) 16.6 V 16.6 V 16.6 V

电源电压(Min) 8 V 14.6 V 11.5 V

电源电压(DC) 16.6V (max) - 11.5V (min)

针脚数 - - 8

输出电流 650 mA - -

长度 5 mm 10.92 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 6.6 mm 3.9 mm

高度 1.25 mm 3.32 mm 1.25 mm

封装 SO-8 DIP-8 SOIC-8

工作温度 -45℃ ~ 125℃ (TJ) -45℃ ~ 125℃ -45℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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