IXTA160N075T和IXTH160N075T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA160N075T IXTH160N075T IXTP160N075T

描述 D2PAK N-CH 75V 160ATO-247 N-CH 75V 160ATrans MOSFET N-CH 75V 160A 3Pin(3+Tab) TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 360W (Tc) 360 W 360 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 160A 160A 160 A

上升时间 - 64 ns -

输入电容(Ciss) 4950pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds)

下降时间 - 60 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

漏源极电阻 - - 6.00 mΩ

漏源击穿电压 - - 75.0 V

额定功率(Max) - - 360 W

长度 - 16.26 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 21.46 mm -

封装 TO-263-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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