对比图
型号 IXFN44N80 IXKN45N80C APT8014JLL
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFN44N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 800 V, 165 mohm, 10 V, 4.5 VTrans MOSFET N-CH 800V 44A 4Pin SOT-227BSOT-227 N-CH 800V 42A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Chassis Screw
引脚数 3 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) - - 800 V
额定电流 - - 42.0 A
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 700 W - 595 W
输入电容 - - 7.24 nF
栅电荷 - - 285 nC
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A - 42.0 A
上升时间 48 ns 15 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 10000pF @25V(Vds) - 7238pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 595 W
下降时间 24 ns 10 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 700W (Tc) - 595W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源极电阻 165 mΩ 63 mΩ -
阈值电压 4.5 V 3.9 V -
漏源击穿电压 - 800 V -
额定功率 700 W - -
针脚数 3 - -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
长度 - 38.23 mm -
宽度 - 25.42 mm -
高度 - 12.22 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
重量 0.000036 kg - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -