BCR108F和RN1905FE

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR108F RN1905FE BCR108S

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorRN1905FE 双NPN带阻尼三极管 50V 0.1A R1=2.2KΩ R2=47KΩ 250MHZ SOT563 代码 XEbcr108s NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 70 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WHs 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管

基础参数对比

封装 TSFP ES-6 SOT-363

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

封装 TSFP ES-6 SOT-363

产品生命周期 Obsolete Active End of Life

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR

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