IRFI530G和IRFI530GPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFI530G IRFI530GPBF BUK443-100B

描述 MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FPMOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FPTRANSISTOR 8 A, 100 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

耗散功率 42W (Tc) 42W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

输入电容(Ciss) 670pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 42W (Tc) 42W (Tc) -

长度 10.41 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 15.49 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

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