对比图
型号 STF20NF06 STF20NF06L STP36NF06FP
描述 N沟道60V - 0.06ohm - 20A TO- 220 / TO- 220FP的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.06ohm - 20A TO-220/TO-220FP STripFET II POWER MOSFETN沟道60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK / TO- 220 / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.06ヘ - 20A - D2PAK/TO-220/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP36NF06FP 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 40 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 28W (Tc) 25 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 10.0 A 18.0 A
上升时间 15 ns 30 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 400pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds)
下降时间 5 ns 6 ns 9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 28W (Tc) 28W (Tc) 25000 mW
额定功率 - - 25 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 70.0 mΩ - 0.04 Ω
阈值电压 - - 4 V
额定功率(Max) 28 W - 25 W
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 20.0 A - -
漏源击穿电压 60.0 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm - 10.4 mm
宽度 4.6 mm - 4.6 mm
高度 9.3 mm - 9.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17