对比图
型号 IRLZ24NSPBF STB36NF06LT4 STB16NF06LT4
描述 N沟道 55V 18ASTMICROELECTRONICS STB36NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 1 VSTMICROELECTRONICS STB16NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 17.0 A 30.0 A 16.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.032 Ω 0.07 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8 W 70 W 45 W
阈值电压 - 1 V 1 V
输入电容 - 660 pF -
栅电荷 - 17.5 nC -
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 55.0 V 60 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 30.0 A 16.0 A
上升时间 20.0 ns 80 ns 37 ns
输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 345pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.8 W 70 W 45 W
下降时间 - 13 ns 12.5 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 70W (Tc) 45W (Tc)
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
产品系列 IRLZ24NS - -
长度 - 10.4 mm 10.75 mm
宽度 - 9.35 mm 10.4 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99