MJE180STU和NTE2353

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE180STU NTE2353 MJE180 LEAD FREE

描述 功率 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。小信号双极性晶体管Trans GP BJT NPN 40V 3A 3Pin TO-126 Box

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-126-3 TO-3 -

频率 50 MHz - -

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 3.00 A - -

极性 NPN NPN -

耗散功率 1.5 W 70 W -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 800 V -

集电极最大允许电流 3A 10A -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V - -

最大电流放大倍数(hFE) 250 - -

额定功率(Max) 1.5 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1500 mW - -

针脚数 - 3 -

集电极击穿电压 - 1.50 kV (max) -

直流电流增益(hFE) - 8 -

长度 8 mm - -

宽度 3.25 mm - -

高度 11.2 mm - -

封装 TO-126-3 TO-3 -

材质 Silicon - -

工作温度 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

HTS代码 - 85412900951 -

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