对比图
型号 IRF251 JANTX2N6766 IRF250
描述 High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/54330A ， 200V ， 0.085 Ohm的N通道功率MOSFET 30A, 200V, 0.085 Ohm, N-Channel Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美) Intersil (英特矽尔)
分类 MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 2
封装 - TO-3 TO-3
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 150 W
通道数 - 1 -
耗散功率 - 4 W -
漏源极电压(Vds) - 200 V -
长度 - - 39.95 mm
宽度 - - 26.67 mm
高度 - - 7.87 mm
封装 - TO-3 TO-3
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -