对比图
型号 IXSH40N60A IXXH50N60B3
描述 IGBT 晶体管 HIGH SPEED IGBT 600V, 40AInsulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247, 3Pin
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 300 W 600 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300000 mW 600000 mW
额定电压(DC) 600 V -
额定电流 75.0 A -
耗散功率 300000 mW -
上升时间 170 ns -
封装 TO-247-3 TO-247-3
长度 16.26 mm -
宽度 5.3 mm -
高度 21.46 mm -
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -