DTA144WET1G和DTA144WM3T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA144WET1G DTA144WM3T5G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SC-75-3 SOT-723-3

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

极性 PNP PNP

耗散功率 0.3 W 0.6 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 80

额定功率(Max) 200 mW 260 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 600 mW

长度 1.6 mm -

宽度 0.8 mm 0.8 mm

高度 0.75 mm 0.5 mm

封装 SC-75-3 SOT-723-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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