2N7002E和DN2530N3-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002E DN2530N3-G ST120

描述 Small Signal Field-Effect Transistor,Trans MOSFET N-CH 300V 0.175A 3Pin TO-92Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 LiteOn (光宝) Supertex (超科) Yageo (国巨)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-92 -

额定功率 - 1.6 W -

漏源极电阻 - 12.0 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 740 mW -

漏源极电压(Vds) - 300 V -

漏源击穿电压 - 300 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 200 mA -

上升时间 3.5 ns - -

输入电容(Ciss) 30pF @25V(Vds) - -

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 830 mW - -

封装 - TO-92 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

HTS代码 - 8541900000 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台