对比图
型号 FQB34N20LTM IRFS31N20DPBF STB30NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 2 VN 通道功率 MOSFET 30A 至 39A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。STMICROELECTRONICS STB30NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 2 3 2
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - 1 1
针脚数 2 3 2
漏源极电阻 75 mΩ 0.082 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 3.1 W 125 W
阈值电压 2 V 5.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
上升时间 520 ns 38 ns 15.7 ns
输入电容(Ciss) 3900pF @25V(Vds) 2370pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 3.1 W 125 W
下降时间 370 ns 10 ns 8.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13 W 3.1W (Ta), 200W (Tc) 125W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 31.0 A - -
输入电容 3.90 nF - -
栅电荷 72.0 nC - -
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A -
额定功率 - 200 W -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.4 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -