IXTM21N50和IXTM24N50

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTM21N50 IXTM24N50 APT5025AN

描述 TO-204AE N-CH 500V 21AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTM24N50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 4 VN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSI

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Advanced Power Technology

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-204 TO-204 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 21.0 A - -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 21.0 A 24.0 A -

针脚数 - 2 -

漏源极电阻 - 0.23 Ω -

耗散功率 - 300 W -

阈值电压 - 4 V -

上升时间 - 33 ns -

输入电容(Ciss) - 4200pF @25V(Vds) -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300000 mW -

封装 TO-204 TO-204 -

产品生命周期 End of Life End of Life Obsolete

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

材质 - Silicon -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台