IRFP354和IRFP451

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP354 IRFP451 IRFP450PBF

描述 Mosfet n-Ch 450V 14A To-247acN-CHANNEL POWER MOSFETSPower Field-Effect Transistor, 14A I(D), 500V, 0.4Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Samsung (三星) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-247-3 TO-3 TO-247-3

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-247-3 TO-3 TO-247-3

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tube - Tube

耗散功率 190W (Tc) - 190000 mW

漏源极电压(Vds) 450 V - -

输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) - 2600pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 190W (Tc) - 190W (Tc)

上升时间 - - 47 ns

下降时间 - - 44 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

RoHS标准 Non-Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

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