TD62082AP和ULN2804A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TD62082AP ULN2804A ULN2803ADWR

描述 PDIP NPN 50V 0.5ASTMICROELECTRONICS  ULN2804A  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 2.25 W, 500 mA, 1000 hFE, DIPTEXAS INSTRUMENTS  ULN2803ADWR..  双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 PDIP DIP-18 SOIC-18

引脚数 - 18 18

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.5A - 0.5A

额定电压(DC) - 50.0 V 50.0 V

额定电流 - 500 mA 500 mA

输出电压 - 50 V 50 V

输出电流 - 500 mA 500 mA

通道数 - 8 8

针脚数 - 18 18

耗散功率 - 2.25 W 2.25 W

输入电容 - 15.0 pF -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @350mA, 2V -

额定功率(Max) - 2.25 W -

直流电流增益(hFE) - 1000 500

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -20 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 2250 mW -

驱动器/包 - - 8

电源电压 - - 5 V

输入电压 - - 30 V

封装 PDIP DIP-18 SOIC-18

长度 - 23.24 mm -

宽度 - 7.1 mm -

高度 - 3.93 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

工作温度 - -20℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ (TA)

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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