IXTA48P05T和IXTY48P05T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTA48P05T IXTY48P05T IXTP48P05T

描述 TO-263AA P-CH 50V 48AP沟道 50VTO-220AB P-CH 50V 48A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3

漏源极电阻 - 30 mΩ 30 mΩ

极性 P-CH P-CH P-CH

耗散功率 150W (Tc) 150 W 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 - 50 V 50 V

连续漏极电流(Ids) 48A 48A 48A

上升时间 - 15 ns -

输入电容(Ciss) 3660pF @25V(Vds) 3660pF @25V(Vds) 3660pF @25V(Vds)

下降时间 - 13 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

通道数 - - 1

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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