IDT71V3577S85BQG和IDT71V3577SA75BQG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V3577S85BQG IDT71V3577SA75BQG IDT71V3577S80BQGI

描述 128K X 36 , 256K X 18 3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,流通型输出突发计数器,单周期取消 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect128K X 36 , 256K X 18 3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,流通型输出突发计数器,单周期取消 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect128K X 36 , 256K X 18 3.3V同步SRAM 3.3VI / O ,流通型输出突发计数器,单周期取消 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TBGA TBGA-165 TBGA

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V -

封装 TBGA TBGA-165 TBGA

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

ECCN代码 3A991 3A991 -

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