8403610LA和IDT6116SA55TDB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 8403610LA IDT6116SA55TDB 6116SA55TDB

描述 Standard SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 - 24

封装 CDIP CDIP CDIP-24

存取时间 - - 55 ns

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

长度 32.5 mm - 32.51 mm

宽度 7.62 mm - 7.62 mm

高度 - - 3.56 mm

封装 CDIP CDIP CDIP-24

厚度 3.56 mm - 3.56 mm

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A001 -

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