SI3457CDV-T1-GE3和SI6924AEDQ-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI3457CDV-T1-GE3 SI6924AEDQ-T1-GE3 NTGS4111PT1G

描述 VISHAY SILICONIX SI3457CDV-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -5.1A, -30V, 60mohm, -10V, -1VMOSFET N-CH 28V ESD 8-TSSOPON SEMICONDUCTOR  NTGS4111PT1G  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 6

封装 TSOT-23-6 TSSOP-8 SOT-23-6

额定电压(DC) - - -30.0 V

额定电流 - - -4.70 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 6

漏源极电阻 - - 60 mΩ

极性 - N-Channel P-Channel

耗散功率 2W (Ta), 3W (Tc) - 1.25 W

阈值电压 - - 3 V

漏源极电压(Vds) 30 V 28 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 4.60 A 4.70 A

输入电容(Ciss) 450pF @15V(Vds) - 750pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W 630 mW

下降时间 - - 22 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 2W (Ta), 3W (Tc) - 630mW (Ta)

长度 - - 3.1 mm

宽度 - - 1.5 mm

高度 - - 1 mm

封装 TSOT-23-6 TSSOP-8 SOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Design Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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