CY7C1418AV18-250BZC和CY7C1418AV18-250BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1418AV18-250BZC CY7C1418AV18-250BZXC

描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 LBGA-165 FBGA

引脚数 165 -

电源电压(DC) - 1.80 V, 1.90 V (max)

时钟频率 - 250MHz (max)

存取时间 - 0.45 ns

内存容量 - 36000000 B

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

位数 18 -

存取时间(Max) 0.45 ns -

电源电压 1.7V ~ 1.9V -

封装 LBGA-165 FBGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray, Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

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