BZX55C8V2-TR和BZX55C8V2RL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C8V2-TR BZX55C8V2RL BZX55C8V2

描述 VISHAY BZX55C8V2-TR Zener Single Diode, 8.2V, 0.5W(1/2W), DO-35, 5%, 2Pins, 175℃DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.09%, 0.5W(1/2W), Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong Rectron Semiconductor

分类 齐纳二极管

基础参数对比

封装 DO-35 DO-35 DO-35

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 - -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

长度 3.9 mm - -

宽度 1.7 mm - -

高度 1.7 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 - Lead Free

容差 ±5 % - -

击穿电压 8.70 V - -

正向电压 1.5 V - -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 5 mA - -

稳压值 8.2 V 8.2 V -

额定功率(Max) 500 mW - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 500 mW - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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