对比图
型号 IXTK90N25L2 IXTX90N25L2 IXTT82N25P
描述 IXTK 系列 单 N 沟道 250 V 33 mOhm 960 W 功率 MOSFET - TO-264IXYS SEMICONDUCTOR IXTX90N25L2 晶体管, MOSFET, LINEAR L2™, N沟道, 90 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 2 V250V 82A PolarHT N沟道 功率 Mosfet TO-268
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-268-3
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 0.033 Ω 0.033 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 960 W 960 W 500W (Tc)
阈值电压 2 V 2 V -
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) - 90A 82A
上升时间 175 ns 175 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 23000pF @25V(Vds) 23000pF @25V(Vds) 4800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 960 W 960 W -
下降时间 160 ns 160 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 960W (Tc) 960W (Tc) 500W (Tc)
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -