对比图
型号 IPA60R199CP TK16A60W 6A60
描述 INFINEON IPA60R199CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 VTO-220SIS N-CH 600V 15.8ATRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-220-3 SC-67 -
安装方式 Through Hole - -
引脚数 3 - -
极性 N-Channel N-CH -
漏源极电压(Vds) 650 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 15.8A -
上升时间 5 ns 25 ns -
下降时间 5 ns 5 ns -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.18 Ω - -
耗散功率 34 W - -
阈值电压 3 V - -
输入电容(Ciss) 1520pF @100V(Vds) - -
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 34 W - -
封装 TO-220-3 SC-67 -
长度 10.65 mm - -
宽度 4.85 mm - -
高度 16.15 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
香港进出口证 - NLR -