IPA60R199CP和TK16A60W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA60R199CP TK16A60W 6A60

描述 INFINEON  IPA60R199CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 VTO-220SIS N-CH 600V 15.8ATRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-220-3 SC-67 -

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

极性 N-Channel N-CH -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 15.8A -

上升时间 5 ns 25 ns -

下降时间 5 ns 5 ns -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.18 Ω - -

耗散功率 34 W - -

阈值电压 3 V - -

输入电容(Ciss) 1520pF @100V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 34 W - -

封装 TO-220-3 SC-67 -

长度 10.65 mm - -

宽度 4.85 mm - -

高度 16.15 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

香港进出口证 - NLR -

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