THS4631D和THS4631DDAR

对比图

型号 THS4631D THS4631DDAR THS4631DR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  THS4631D..  芯片, 高速运算放大器, 210MHZ, 1000V/uS, SOIC-8高电压，高压摆率，宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER高电压，高压摆率，宽带FET输入运算放大器 HIGH-VOLTAGE, HIGH SLEW RATE, WIDEBAND FET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 HSOP-8 SOIC-8

供电电流 11.5 mA 11.5 mA 11.5 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1100 mW 2300 mW 1.1 W

共模抑制比 86 dB 86 dB 86 dB

输入补偿漂移 2.50 µV/K - 2.50 µV/K

带宽 210 MHz - 210 MHz

转换速率 1.00 kV/μs 1.00 kV/μs 1.00 kV/μs

增益频宽积 210 MHz 210 MHz 210 MHz

输入补偿电压 260 µV 260 µV 260 µV

输入偏置电流 50 pA 50 pA 50 pA

可用通道 S S S

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 325 MHz 325 MHz 325 MHz

增益带宽 210 MHz - 210 MHz

耗散功率(Max) 1100 mW 2300 mW 1100 mW

共模抑制比(Min) 86 dB 86 dB 86 dB

针脚数 8 - -

电源电压 10V ~ 30V - -

电源电压(Max) 30 V 30 V -

电源电压(Min) 10 V 10 V -

封装 SOIC-8 HSOP-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.89 mm -

宽度 3.91 mm 3.9 mm -

高度 1.58 mm 1.48 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -